國產內存芯片正加速發展 何時才能徹底打破壟斷?

隨著國內半導體產業投入的加大,國內存儲器行業也將迎來加速發展,雖然在短期內難以撼動三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的局面,但未來憑借國內龐大的內需市場、優秀的開發能力,以及具國際水準的產能,必將在全球半導體產業擁有一席之地。
   目前在全球的消費電子市場上,存儲器是名副其實的電子行業“原材料”。如果再將存儲器細分,又可分為DRAM、NAND Flash與Nor Flash三種。
 
  投資存儲芯片領域1500億美元,我國幾乎表明了自給自足的決心。目前國內已有三家企業已經進入這一領域,合肥長鑫和長江存儲分別在DRAM和NAND FLASH技術工藝的擴展和發展。福建晉華曾經是第三家,但由于美國商務部對其DRAM設備、器件的禁售,導致其暫陷入困境。
 
  紫光集團是中國發展存儲芯片的領頭羊,成立長江存儲,研發、生存NAND閃存,還有做DDR內存的紫光國微等子公司。
 
  根據長江存儲和合肥長鑫的產品發展路線圖。到2020年,長江存儲直接跳躍到128層3D NAND的目標,并消除從64層到128層的過程,且繞開主要NAND制造商生產的96層閃存芯片。到2021年,分別在NAND FLASH和DRAM的產品研發進度上取得突破,后者將完成17nm的研發。
 
  存儲器領域經過幾十年的發展,由全球六家公司控制,分別為三星,東芝,美光,西部數據,SK海力士和英特爾。DRAM市場更加集中,只有三家公司生產幾乎所有的DRAM芯片。它們分別是三星,SK海力士和美光。
 
  反觀國內,長江存儲著力于NAND FLASH的生產,合肥長鑫致力于DRAM的生產。
 
  除武漢和合肥外,我國另外三個城市也正在建設存儲器工廠。同時,晉江也可能會開始DRAM生產,但是目前由于法律問題,參與其中的公司福建晉華目前處于困境。
 
  隨著國內半導體產業投入的加大,國內存儲器行業也將迎來加速發展,雖然在短期內難以撼動三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的局面,但未來憑借國內龐大的內需市場、優秀的開發能力,以及具國際水準的產能,必將在全球半導體產業擁有一席之地。
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